Nand Flash

Nand Flash

Nand Flash是Flash的一種技術規格，Nand Flash型的Cell是彼此相連，僅第一個及最後一個Cell分別與Work Line、BIT Line相連，因此Nand Flash架構儲存容量較Nor Flash高。Nand Flash的容量較大，改寫速度快，主要應用在大量資料的儲存，容量最高達128Mb，產品包括數位相機、MP3隨身聽的記憶卡等。

NAND Flash的基本存儲單元是頁(Page)，NAND Flash的頁類似硬碟的磁區，硬碟的1個磁區也為512位元組，而每頁的有效容量是512位元組的倍數。所謂的有效容量是指用於資料存儲的部分，實際上還要加上16位元組的校驗資訊，因此用(512+16)Byte表示。

NAND是以塊為單位進行擦除，快閃記憶體的寫入操作必須在空白區域進行，如果目標區域已經有資料，必須先擦除後寫入，因此擦除操作是快閃記憶體的基本操作。

NAND Flash技術從最早期的SLC(Single-Level Cell)世代，1個記憶體儲存單元(cell)存放1位元(bit)的資料，到MLC(Multi-Level Cell)中，1個記憶體儲存單元存放2位元，2009年開發TLC(Triple-Level Cell)，1個記憶體儲存單元可存放3位元。

SLC即單層式儲存，SLC技術特點是在浮置閘極與源極之中的氧化薄膜更薄，在寫入數據時通過對浮置閘極的電荷加電壓，然後透過源極，即可將所儲存的電荷消除，透過這樣的方式，便可儲存1個資料單元，這種技術能提供快速的程序編程與讀取。

MLC即多層式儲存，是英特爾(Intel)在1997年9月最先開發成功，其作用是將兩個單位的資料存入1個Floating Gate(Flash Memory存儲單元中存放電荷的部分)，再利用不同電位(Level)的電荷，透過儲存的電壓控制讀寫。MLC通過使用大量的電壓等級，每個單元儲存兩位數據，數據密度比較大。

TLC即為1個記憶體儲存單元可存放3位元。TLC速度慢，壽命短，但成本低，價格也較便宜。TLC於2009年開發出來，到2010年第1季東芝和新帝開始銷售，到2010年3月三星也開始銷售，製程技術還在持續改進中。TLC成本比較低，但讀寫次數為三者最少，壽命最短。

NAND Flash市場以SLC和MLC儲存為主，SLC架構是0和1兩個值，而MLC架構可以1次儲存4個以上的值，因此，MLC架構可以有比較好的儲存密度，且可利用老舊的生產程備來提高產品的容量，擁有成本與良率的優勢，與SLC相比較，MLC生產成本較低，容量大，但壽命較短、存取速度較慢及高能耗等缺點。

SLC寫入次數：100000
MLC寫入次數：3000 -10000
TLC寫入次數：500-1000