90奈米製程

90奈米製程是半導體製造製程的一個水平，大約於2004年至2005年左右達成。^[1]^[2] 這一製程由當時領先的半導體公司如英特爾、AMD、英飛凌、德州儀器、IBM和台積電所完成。

許多廠商使用了193奈米的波長來進行關鍵層級的光刻。

此外，12英寸晶圓在這個製程上成為主流。

具有90奈米製程的產品[編輯]

^ Mueller, S. Microprocessors from 1971 to the Present. informIT. 2006-07-21 [2012-05-11]. （原始內容存檔於2015-04-27）.
^ Myslewski, R. Happy 40th birthday, Intel 4004!. TheRegister. 2011-11-15 [2015-04-19]. （原始內容存檔於2015-04-27）.

先前 130奈米製程	半導體器件製造製程	其後 65奈米製程

半導體器件製造

金屬氧化物半導體場效電晶體
010 µm – 1971 006 µm – 1974 003 µm – 1977 1.5 µm – 1981 001 µm – 1984 800 nm – 1987 600 nm – 1990 350 nm – 1993 250 nm – 1996 180 nm – 1999 130 nm – 2001 090 nm – 2003 065 nm – 2005 045 nm – 2007 032 nm – 2009 022 nm – 2012 014 nm – 2014 010 nm – 2016 007 nm – 2018 005 nm – 2020 003 nm – 2022
未來 002 nm ~ 2024
電晶體數量互補式金屬氧化物半導體半導體器件（多閘極電晶體）摩爾定律電晶體數量半導體半導體產業納電子學
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