為因應台積電設立18吋晶圓廠需求,中科管理局向環保署提出「中科園區擴建案」,並提出2016年可能完工時間表。不過,台積電表示,18吋晶圓廠蓋廠仍無時間表,端視半導體產業技術推進情況而定,但若要興建18吋廠,會以中科為生產基地。

雖然18吋廠被視為未來延續摩爾定律推進的重要計畫,但目前除了英特爾已在美國奧瑞岡州D1X廠第2模組廠區,興建全球首座18吋晶圓廠,其餘包括台積電、三星、格羅方德都還沒有興建18吋廠具體計畫。

以英特爾投資20億美元興建18吋廠的計畫來看,去年8月開始動工興建,原本預計2015年可以完成裝機,2016年進入風險試產投片。不過,因為18吋晶圓廠的廠房及設備等供應鏈尚未完成,加上目前12吋廠製程已可微縮到10奈米世代,因此,英特爾18吋廠進度已經遞延。

由台積電、英特爾、IBM、格羅方德、三星等合組的18吋晶圓研發聯盟G450C,去年1月完成了18吋研發晶圓廠的無塵室興建,去年下半年完成裝機及試產,預計今年全年投片量可達1.5萬片。只不過,目前半導體設備大廠如艾司摩爾(ASML)、應用材料、科磊、大日本印刷等,18吋晶圓量產型設備開發進度不如預期,所以台積電對於興建18吋廠並無時間表。

設備業者表示,以目前摩爾定律的推進速度,以及最關鍵的微影技術(lithographic)的開發進度來看,2016年前16奈米將是最先進且進入量產的製程節點,當年度將開始導入10奈米製程微縮,2017年才會開始進入投片量產。由於目前採用的浸潤式(immersion)微影技術,可利用多重曝光(multi-patterning)的方式來生產10奈米製程,所以18吋廠要開始大規模興建,要等到新一代極紫外光(EUV)微影技術可以進入量產才有機會。

設備業者預期,以英特爾、台積電、三星等業者加入艾司摩爾「客戶聯合投資專案」的進度來看,EUV技術已可在2017年應用在10奈米製程,但成本上可能還不具經濟規模,要等到2019年之後7奈米進入量產,EUV技術才會成熟。由此來看,18吋廠最快也要等到2018年後才會開始興建,才可能在2019年導入量產。

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