梁孟松

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梁孟松
Mong-Song Liang
中芯國際
聯合首席執行官兼執行董事
個人資料
性別
出生1952年
臺灣 臺灣
國籍 中華民國
學歷建國中學
國立成功大學電機工程學士
國立成功大學電機工程碩士
加州大學柏克萊分校電子工程博士
專業半導體元件物理及製程技術


梁孟松(英語:Mong-Song Liang, 1952年),台灣電子工程學家。電機電子工程師學會院士,曾為國立清華大學電機系與電子所教授[1]成均館大學訪問教授,曾任超微工程師、台積電資深研發長、三星電子公司研發副總經理,後被挖角至中芯國際[2]

早年生涯與台積電17年[編輯]

梁孟松先於國立成功大學電機工程學系取得學士碩士學位,其後於加州大學柏克萊分校師從胡正明教授[3][4]為其最為器重的得意門生之一。[5][6]獲得電子工程博士學位後和他的導師一樣當選電氣電子工程師學會院士,[5]並於超微半導體負責記憶體相關工作。[7][8][6]在美期間結褵上大學時為籌集學費曾當過空姐,後來同為半導體工程師的韓裔妻子;[9][5][6]而其妻為後來梁孟松轉投三星的重要推手。美國專利及商標局的資料顯示,梁孟松參與發明的半導體技術專利達181件之多,均為最先進和最重要的關鍵技術研究,[10][9][3][6]他並在台美兩地共發表技術論文高達350餘篇。[9]

1992年返台後任台灣積體電路製造股份有限公司工程師、資深研發處長,[10]是台積電近五百個專利的發明人,[11][7][9][8][4][6][12]遠多於其他主管;[5][6]負責或參與台積電每一世代製程的最先進技術,[13][14]也是「新製程設備遴選委員會」之一員。[6]台積電在2003年以自主技術擊敗IBM,一舉揚名全球的130奈米「銅製程」一役受行政院表彰的台積電研發團隊中,當時負責先進模組的梁孟松排名第二,[15][11][3][4][13][14]貢獻僅次於他的上司,資深研發副總蔣尚義,[10][9][7][5][6]而蔣尚義則在2016年底被中芯聘為獨立董事。[7]2009年2月梁孟松離開台積電,轉赴國立清華大學電機工程學系和電子所教授;半年多後離台赴韓。[10][11]

轉投三星的爭議和法律訴訟[編輯]

梁孟松在三星的任職期間表現十分出彩,無疑是全球半導體業界教科書級別的成功案例,但也因為使三星與台積電技術差距急速縮短,使得他的研發成果倍受爭議,爭議之處為其供職於三星期間,雖然名義上樑孟松是被請來韓國參與半導體技術的研發路線,但三星的研製成果讓台積電認為梁孟松是涉嫌泄漏商業秘密而訴訟,最終梁孟松敗訴。[7][10][11][4][16][13][14][6][12]在三星執意邀請下,開出用三年就給梁孟松在台積電10年能賺到的錢、[10][3]並動用行政專機載他和其它台積電前員工往返台灣和韓國,[3]及其他優厚條件下,梁孟松同意供職三星,並同時帶走了包括他的舊部黃國泰、夏勁秋、鄭鈞隆、侯永田、萬文愷和陳建良在內的二十多個台積電的工程師。[15]剛到韓國時,為了符合競業條款所規定的競業禁止期限,梁孟松亦先於2010年10月開始在三星屬下的成均館大學擔任訪問教授,[11][4][13][14][6][12]但他真正任教的卻是校址就在三星廠區的三星內部企業培訓大學——三星半導體理工學院(SSIT),[10][16][5]而他當時的十個學生個個大有來頭,其實都是三星高階的半導體資深工程師。[5][6]2011年7月13日,梁孟松正式加入三星集團,擔任三星LSI部門技術長,[6]同時也是三星晶圓代工的執行副總。[4]

自1960年中期代晶片商業化量產以來,晶片製程技術也如影隨形的伴隨著發展了大約30餘代:其中每代又包含幾個節點等級,大致可以分為:(1). 50微米(1960年代中期) → (2). 16/20微米(1960年代中期至末期) → (3). 10/12微米(1960年代末期至1970年代初期) → (4). 7/8微米(1970年代初期) → (5). 5/6微米(1970年代初期至中期) → (6). 3/3.5微米(1970年代末期) → (7). 2/2.5微米(1980年代初期) → (8). 1.3/1.5微米(1980年代中期) → (9). 1/1.2微米(1980年代末期) → (10). 0.75/0.8微米(1980年代末期至1990年代初期) → (11). 0.65/0.7微米(1990年代初期) → (12). 0.5/0.6 微米(1990年代初期至中期) → (13). 0.28/0.35微米(1990年代中期至末期) → (14). 0.24/0.25微米(1990年代末期) → (15). 0.18/0.22微米(1990年代末期至2000年代初期) → (16). 0.13/0.15微米(2000年代初期) → (17). 90/110奈米(2000年代初期至中期) → (18). 65/80奈米(2000年代中期) → (19). 55/60奈米(2000年代中期至末期) → (20). 40/45奈米(2000年代末期) → (21). 38/39 奈米(2000年代末期至2010年代初期) → (22). 32/34奈米(2010年初期) → (23). 28/30 奈米(2010年初期至中期) → (24). 20/22 奈米(2010年中期) → (25). 16/18奈米(2010年中期至2017) → (26). 12/14奈米(2015年開始量產) → (27). 10/11奈米(2016年開始量產) → (28). 7/8 奈米(2018年開始量產) → (29). 5/6 奈米(2020年開始量產) → (30). 3/4奈米(2020年準備試產) → (31). 2 奈米(2020年台積電已於研發中) → (32). 1.4 奈米(英特爾計劃於2029年推出)。當時三星正在處於一個由第23代的28奈米製程轉向第24代的20奈米製程的過程中,但卻遇到重重困難,進度停擺,其原因不外是當電晶體的尺寸小於25奈米以下時,傳統的平面場效應管(planar field effect transistor/planar FET)的尺寸已經無法縮小,所以須採用鰭式場效應電晶體(FinFET)以將場效應管立體化,而三星彼時對此毫無任何經驗,根本無法達成任何突破,因此研發徹底停滯,而梁孟松得知三星之困境後卻力主放棄20奈米製程,直接由28奈米製程升級到第26代的14奈米製程。[3]這就要跳過第24代的20/22奈米製程和第25代的16/18奈米製程,一次完成三代四級跨越,其難度可想而知,但梁孟松和他的台籍團隊知難而上,加上獲得三星賭上公司命運全力支持,終獲成功;[3]最後三星14奈米製程量產時甚至比台積電早了約半年,[6]且台積電推出的製程為16奈米。[15][4]

梁孟松幫三星成功以研發出14奈米製程的直接結果就是將蘋果A9處理器的訂單從台積電搶走了,[15][17]同時還拿下高通的大單,[3][6]並使台積電的股價一度大跌,評級遭降。[15][4][16][6]而之前原來獨吞蘋果處理器訂單,但因製程落後而痛失八成蘋果訂單則使台積電損失10億美元(約314億新台幣)。[6]由此台積電於2011年10月和梁孟松開始了長達四年的官司,指控其自2009年離職,並從該年8月到三星旗下的成均館大學任教以來,「應已陸續泄漏台積電公司之營業秘密予三星。」 [7][3][16][6]台積電指出,從2005到2009這五年中,三星電子的年代工營收不足4億美元。到2010年開始代工蘋果公司的蘋果A系列處理器(包括從A4到A7),代工營業收入猛增,2010年整體代工收入激增至12億美元(其中蘋果A系列處理器產品代工收入達8億美元)。由於蘋果手機等移動終端產品出貨激增,三星電子的晶圓代工營收水漲於2013年達到39.5億美元。[18]除了帶領三星研發團隊取得早期成功之外,實際上樑孟松的指導,對三星後來獨自發展技術路線,也具有相當大的影響,韓國也因此打進少數玩家才能加入的晶圓代工俱樂部中,到了2018年,三星晶圓代工收入已經攀上約100億美元,並想在3奈米製程上再次超越台積電;具體措施是在3奈米節點,三星將從FinFET電晶體轉向GAA環繞柵極電晶體工藝,其中3奈米工藝使用的是第一代GAA電晶體,稱為3GAE的工藝。基於全新的GAA電晶體結構,三星通過使用3奈米片設備製造出了可顯著增強電晶體性能的多橋-通道場效應管(Multi-Bridge-Channel FET, MBCFET),用來取代FinFET電晶體技術。[3]而以上的一切顯見三星所有現在的成就均與之前梁孟松為其打下的堅實基礎密不可分,台積電法務副總經理暨法務長方淑華因此指出:「就算不主動泄漏台積機密,只要三星選擇技術方向時,梁孟松提醒一下,這個方向你們不用走了,他們就可以少花很多物力、時間。」 [3][5][13][14][6][12]更具殺傷力的是台積電外包外國專家所作的一份技術調查報告:由於三星產品技術來自IBM授權,因此其產品特徵與IBM一樣;例如三星2009年量產的65奈米和以前投產的產品,其產品特徵均與IBM一樣,而和台積電差異極大;[15]這點符合一般預期。但之後幾年,三星的45、32、28奈米世代,與台積電差異急劇減少,兩家產品變得極為相近。[15][7][4][16][6]台積電於是委託外部專家以最先進的電子顯微鏡,分析頭髮萬分之一細微的電晶體,詳細比對IBM、台積電和三星3家公司產品最新4代產品的主要結構特徵,以及組成材料,製作的一份名為「台積電/三星/IBM產品關鍵製程結構分析比對報告」的測試結果。[6]此報告中列出7個電晶體的關鍵製程特徵,例如淺溝槽隔離層的形狀、後段介電質層的材料組合等,雙方產品都高度相似。[15][6]此外,三星28奈米製程P型電晶體電極的矽鍺化合物,更類似台積電的菱形結構特徵,[16][6][6]與IBM的圓盤U型完全不同。[4][15]這份報告又指出2015年雙方量產的16、14奈米鰭式場效應電晶體產品將更為相似,單純從結構分析可能分不出系來自三星公司或來自台積電公司。[15][6]這幾項如指紋般獨特並難以模仿的技術特徵,使台積電認定梁孟松已泄漏台積電公司的商業秘密給三星。[16]這意味著台積電積累十好幾年(一說二十餘年)、以數千億台幣試錯,這些研發經費和投入無數精力打造的技術優勢,已在一夕之間被追平了。[15][11]

台積電控告梁孟松侵犯營業祕密的訴訟在一審時敗訴,以法官何君豪為首的法院同意梁孟松的辯護律師,著名律師顧立雄的觀點,判決競業禁止期限已滿,不應剝奪梁的工作權,因此判台積電敗訴。[10][19][20][4][16][5]台積電不服上訴,二審時智慧法院第二庭審判長陳忠行、法官曾啟謀、熊誦梅組成合議庭,[10][19]其中熊誦梅和梁孟松一樣也曾就讀於加州大學柏克萊分校,只不過因梁孟松年長她十餘歲而讀工程在先,熊誦梅讀法律於後。而熊誦梅的丈夫和梁孟松的妻子一樣,也為韓裔。[19][20][5][6]熊誦梅對韓國的文化、教育、產業等都相當了解,[19]本人更是多次去過成均館大學,深知它與三星的特殊關係,更深諳韓國此類企業大學所具備的某種不便公開的作用:[20][5][6]韓國已有前科,即新日鐵控告其離職工程師泄密給韓國浦項鋼鐵;此官司的關鍵乃帶著絕密特殊鋼材配方新日鐵工程師在離職後,先到浦項工科大學為度過競業禁止期漂白。[20][5][6]熊誦梅因而判定成均館大學對三星有類似功能,加上台積電呈堂的證據,二審台積電逆轉勝,[19][6]法院最終判決結果是:在2015年12月31日之前,梁孟松不能以任職或者是其他的方式繼續為三星提供任何服務。[10][11][7][4][16][13][14][6][12]這也是當地法院歷史上第一次限制企業的高管,對台灣保護商業機密有指標性意義。[19][15][4][12]

供職中芯國際[編輯]

前台積電董事長張忠謀曾明確指出,因台灣、韓國、美國在半導體產業已經累積了很多經驗,因此學習曲線已經下來,此乃中國大陸再砸多少大錢也難以獲得的經驗。[7]此觀點也為包括1956年7月出生的原工信部經濟師、中芯國際董事長周子學在內的中國大陸有識之士所承認,以大陸業界人士的話來說就是:一個人、一個團隊往往會影響一個產業,[3][5]就像張忠謀之於台積電,任正非之於華為,有些經驗自己慢慢積累遠不能趕上別人的進步,即使不睡覺,再拼命也沒用。[21]所以中國大陸近年來為發展本土半導體製造業,採取的是直接挖角重量級的高手加入中國大陸微電子工業,就是為了縮短其晶片產業的學習曲線,而本身帶有關鍵技術專利的梁孟松就一直是被鎖定的目標。[7]於是在極具戰略眼光和執行力的周子學統籌下,中芯展開了與梁孟松長達一年多的反覆接觸;在與三星的契約結束之後, [9]梁孟松終於接受了中芯國際以年薪二十萬美金開出的的邀請(不含股權分配和分紅),而中芯國際則於2017年10月16日晚間特別召開臨時董事會議,正式宣布梁孟松出任中芯國際聯合執行長(Co-CEO)兼執行董事,[22]和幾個月在前2017年5月10日剛剛獲委任為中芯國際執行長的趙海軍一起形成雙執行長的局面,開啟了中芯的雙首長制時代。[9][21]中芯此番專為安置梁孟松的行政改組頗似台積電曾採用的雙研發副總制度,且其任命令即(16)日生效,足見中芯國際對梁孟松相當重視。而此一消息公布後,中芯股價於當日就高開了4.23%,[8]並於其後近一個月的時間內竟大漲逾20%,足見外界對其的殷殷期望。[9]而投資商對中芯的評價也為正多於負。[8]梁孟松2017年10月加入時從三星帶走了多位台籍和韓籍工程師到中芯,但其最依重的隨他從台積電跳槽至三星的六人卻只有黃國泰一人到中芯,其餘五人均婉拒梁孟松之邀:離開三星後,侯永田任職格芯新加坡廠;陳建良也一度轉任職格芯,後轉赴台灣聯電;萬文愷任職聯發科的研發部門;鄭鈞隆傳出任職美商半導體公司;[23]夏勁秋則擔任了中國大陸新成立的雲芯國際集成電路製造有限公司董事。[24][25]雖梁孟松的原班人馬中只一人相隨其至中芯,但梁孟松卻替中芯招攬了一位昔日他在台積電時手下的大將周梅生女士:[26]復旦大學碩士赴美讀博,獲普林斯頓大學化學博士的周女士雖未隨梁孟松從台積電轉投三星,但她先後在泛林集團、新加坡特許半導體製造有限公司 、台積電、聯電、和格芯這些世界前列晶圓廠和晶圓設備廠供職共達二十餘年,[27]在先進技術研發、合作、轉移、整合、驗證、量產,及晶圓廠建廠、生產和營運方面經驗豐富;[27]其本人也專長於模塊設備,工藝和整合技術,並擁有130多項國際專利。[27]在梁孟松的強烈推薦下,周梅生甚至在梁孟松本人被任命為中芯聯合執行長之前四天,就被中芯任命為首席技術官[26]梁孟松此舉可謂是對中芯誠心以待,其為人豪爽之性格也所言不虛;除周梅生外,梁孟松為中芯共帶來了多達二百多位像她這樣的核心骨幹,其中絕大部分乃台灣新竹科學園區之技術高手。[17]這些重將對梁孟松助益頗大,中芯日後之技術突破和製程飛躍除梁孟松本人的傑出能力外,也與隨他而來的這二百餘人之卓越才華密不可分;[17]而為中國大陸找到這樣能改變其半導體產業,但又急缺的重量級人物也是中國大陸迄今所急需的學習曲線之一。[23]雖缺了原核心班底,但梁孟松其所率的台籍、韓籍團隊仍然沒有辜負中芯的一片殷殷企盼,即便因競業禁止條款所限,而無法立即投入中芯正在研發的最新一代產品的工作中,只能先暫時參與前代產品的改良,他們依然為中芯做出了巨大貢獻,其中莫過於巨幅提升中芯28奈米工藝的良品率:[17]

中芯半導體雖早在2016年2月份就宣布28奈米高介電常數金屬柵(閘)極(HKMG: high k metal gate)工藝已經成功進入設計定案階段(tape-out),成為中國內地晶圓廠中,首家可同時提供28奈米多晶矽(PolySiON)與較比PolySiON更為複雜的高介電常數金屬柵極工藝的廠商,但因所採用的技術,良品率一直不穩定。[28][29]因高介電常數金屬柵極流程的差異性,在金屬閘極在源極與汲極區之前或之後形成,使高介電常數金屬柵極流程分為 IBM 為首的先柵極(Gate-first)流程,和英特爾為主的(Gate-last)後柵極流程兩類。先柵極技術發展到後來,都遭遇到所以臨界電壓(Vt: threshold voltage)難以控制,功耗暴增的難關,似乎已到技術極限。[28][29]後柵極又稱可替換柵極(簡稱RMG:Replacement Metal Gate),使用該工藝時高介電常數柵電介質無需經過高溫步驟,所以臨界電壓偏移(shift)很小,晶片的可靠性更高。因此業界在製造高性能晶片時更傾向於選擇後柵極工藝流程。[28][29]然而,後柵極工藝流程涉及更多的工藝步驟,面臨更多的工藝難關和設計限制,難關之一就是平坦度極難達標;而且後柵極要做到與先柵極管芯密度相同,更需要較為複雜的工序與設計端的調整。包括台積電在內的大部分廠家在發展28奈米工藝時,都採用後柵極工藝流程。[28][29]中芯在 研發28奈米製程時原先走後柵極工藝流程,在2012年得到IBM 的協助,簽訂合作開發協議之後,採取以後柵極工藝流程為主,部分先柵極技術為輔的兼容型,但高介電常數金屬柵極產品的良品率一直不穩定,[13][14]遠不如預期。[28][29][9]例如中芯為高通接單的低階28 奈米工藝多晶矽製程的良品率只有60%,而高階28奈米工藝高介電常數金屬柵極製程的良品率更只有40%。[3]正因如此,直至28奈米製程所占中芯營收比例最高的2018年第4季,也只不過只有區區5.4%而已。[30]而梁孟松和其所率的台籍、韓籍團隊加入中芯後僅僅用了不到一年的時間,就將中芯的低階28奈米工藝多晶矽製程的良品率從60%大幅提升至85%以上,而與此同時,他們更是將中芯的高階28 奈米工藝高介電常數金屬柵極製程的良品率翻倍提升至80%以上。[3]中芯產品質量的大幅提升是梁孟松針對所發現的管理效率太差、機台的生產流程拖沓、多餘工序降低良品率之問題親自領軍改革的結果,[31]管理效率和良品率之提高、內控之改善、及流程管理的最佳化,讓非正常的額外晶圓消耗大幅降低,方使28奈米製程開始獲利。[31]

但梁孟松和其所率的台籍、韓籍團隊對中芯更大的貢獻還是在於稍後參與了中芯當時最新研製的產品,本來28奈米部分,中芯雖靠梁孟松和其團隊雖將屬於第23代的28奈米製程良品率大幅提升,但前景卻不樂觀,肇因台灣聯華電子位於廈門翔安區火炬高新區的中國大陸分公司聯芯集成電路製造(廈門)有限公司(廈門聯芯)已於同年(2018)二月提前於中芯試產28奈米高介電常數金屬柵極製程,其良品率更高達98%。[28][29][32][33][34][35][36]而台積電南京廠也提前半年於同年 5 月量產屬於第25代的16奈米製程。[17][37][38][39][40][41][42][43]在競爭對手全都提前量產,良品率或是高於自己,或是技術比自己先進的情況下,中芯的28奈米製程產品即便是品質穩定了,也毫無優勢可言,搶不到任何訂單。[44]例如因中芯製程落後,世界最大的比特幣挖礦晶片(ASIC: Application Specific Integrated Circuit)設計公司比特大陸雖為中國大陸公司,但其訂單全被台積電拿下。在法人說明會上被問此事時,梁孟松承認因28奈米製程研製成功太晚,以錯失市場良機。[44]有鑑於此,梁孟松於是提出了一個比他在三星任職時更為大膽,更加激進的策略,即停止對第23代的28奈米製程的後續發展,跳過第24代的20/22奈米製程和第25代的16/18奈米製程,直接量產第26代的14奈米製程。猶如之前在三星,此次一跨越三代五級(22/20奈米世代、16/18奈米世代、14/12奈米世代)的建議在中芯提出後就遭到普遍反對,肇因技術瓶頸頗大:中芯雖於2018年8月宣布研製出14奈米製程,但成品質量和其早先28奈米製程一樣極不穩定,因與中芯共同研發14奈米製程的合作夥伴乃華為高通校際微電子中心[13][14]頭兩個為晶片設計商,後一個主打晶片應用,三家均非擅長晶片製造,無法對中芯提供任何突破性的幫助;所以當時中芯14奈米製程的良品率僅僅只有3%,完全是試驗性質,只可作為預研技術儲備,根本不具任何投產條件;以致電子時報當時評論道:「中芯宣稱要做14nm、10nm,但恐是個遙不可及的美夢…」[13][14]如若一舉跨越三代五級投產當時最新的14奈米製程,對自身技術積累遠不如三星的中芯來說,所面臨的巨大難度比之前三星的跨越有過之而無不及。梁孟松信心十足,力排眾議,保證對14奈米製程的改良能完美達成,成功說服中芯採納其建議。而他和其團隊也未食言,帶領中芯不但於正式投入後用了僅僅298天就將14奈米製程的良品率從3%巨幅提升至95%以上,[3][17]更成功同時研發了12奈米製程。至中芯2019年14奈米製程成功量產時,比14奈米功耗降低20%、性能提升10%、錯誤率降低20%的中芯12奈米製程也進入了客戶導入階段。[45][46][47][22]

還在完善28和14奈米製程時,梁孟松便放眼未來,雄心勃勃的決定再次帶領中芯實行進一步發展,並直接瞄準頂級7/5/3奈米製程,其中美商格羅方德因為技術實在太過困難而決定退出後,還留下繼續鑽研7/5/3奈米的少數高手,在全世界也只剩下3家了,若中芯研發下一代先進制程成功,比三星力圖追趕台積電的故事更奇蹟,梁孟松讓本來落後的中芯一舉成名夢想就會實現,成為象台積電那樣的世界一流晶圓代工廠家。為此,中芯於2018年上半年向艾司摩爾下單訂購了一台價值1.2億美元的極紫外光刻機,其價格幾乎和中芯2017年1.264億美元獲利相當。[48][49][50]與此同時,梁孟松與其團隊又雙管齊下,於領軍中芯研發第二代鰭式場效應電晶體時,同時也同步研發採用第二代鰭式場效應電晶體的新一代N+1、N+2代製程工藝。梁孟松和其團隊再次沒讓中芯失望,截至2019年下半年,N+1製程客戶導入階段已十分順利;[22]據2020年2月中芯國際2019年第四季度財報會議的公告,即使受到2019冠狀病毒病疫情影響,中芯N+1製程仍會於2020年第四季開始低批量試產,2021年進行大規模量產。相較之前第26代的14奈米製程,中芯新一代N+1製程性能提升20%、功耗降低57%、邏輯面積縮小63%,片上系統(Syetem on a Chip, SoC)面積縮小55%,之後的N+2工藝性能和成本都會更高些。[45][46][51][52][53]自中芯N+1製程公布以來,中國大陸廣泛誤傳其為7奈米製程,[54][45][46]但此謠傳與事實相距甚遠,肇因從14奈米到7奈米製程性能提升的業界標準為35%,中芯N+1製程相較之前一代14奈米製程性能只提升了20%。[51]因此其N+1和N+2製程應為第27代11/10奈米製程;[54][53]而中芯本身也已發表聲明闢謠澄清N+1是中芯國際的內部代號,並不等於7奈米。[51]中芯新一代製程雖非7奈米,但其N+1代製程在功耗及穩定性上跟低階7奈米工藝非常相似,[54][45][46]因此梁孟松採取了與台積電研發7奈米製程經驗相似的方法,即在N+1、N+2代製程上發展第28代的7奈米製程,[54][45][46][17]計劃於2022年完成。台積電7奈米製程本身又共發展了3代:第一代低功耗的N7、第二代高性能的N7P、和相較第一代N7功耗降低10%,電晶體密度提升15%至20%的第三代N7+。[45][46][18]這三代中只有第三代高階N7+才用到極紫外光刻機,不過光罩層數較少,只有4層,[55]遠不如台積電其後研發的因充分利用極紫外光刻工藝,而達到14層光罩的5奈米製程。[45][46][52]而台積電前兩代低階7奈米製程均只需用深紫外光刻機(Deep Ultraviolet Lithography, DUV)。[54]相對極紫外光刻機,以深紫外光刻機生產7奈米晶片須採用多重曝光技術,因此影響良品率,[52][53]但在已有相當深紫外光刻技術和設備的儲備,但尚無任何極紫外光刻機和使用經驗的中芯來說,[52]以深紫外光刻技術和設備研發第28代的7奈米製程乃不二選擇;而梁孟松也證實了中芯以其N+1、N+2代製程上發展和台積電N7、N7P同級的前兩代7奈米製程時,都不會使用極紫外光刻工藝;直到將來設備就緒之後,N+2之後的工藝才會轉向極紫外光刻工藝。[54][45][46][52][53]

但梁孟松想把中芯打造成一流廠商的夢想,路上卻存在著技術以外的更大困難,因為中芯有著三星所沒有的政治隱患,為了防堵中國掌握先進技術,西方的技術封鎖使中國大陸只能買到落後至少兩代的晶片生產設備,而實際上限制給更為苛刻,例如2015年時,台、美、韓晶片廠商向艾司摩爾訂購當時最新的第27代10奈米製程生產設備時,中國大陸只能得到落後5代的第22代32奈米製程設備。[13][14]但梁孟松和其團隊並沒有退縮,帶領中芯以落後好幾代的設備接連研製成功原需先進設備才能研發的高階晶片,殊為不易,肇因其難度遠遠大於只最多需用落後一代的設備來開發同樣產品的競爭對手,加上其最新研發的低階7奈米製程迄今也仍只能用現有較落後的設備,對技術落相對後的中國大陸來說,其重要意義不亞於以前台積電成功自主研發銅製程。

只是中芯中國大陸版的台積電的雄心壯志於2019年底終於遭到了重大打擊:因美國開始進行政治施壓,荷蘭政府延緩了向艾司摩爾授予其接單中芯的出口許可證,使原先計劃於2019年底到貨安裝極紫外光刻機直至2020年第二季仍遲遲無法出貨。[52]即使中芯研製前兩代低階7奈米製程成功,高階7奈米、5奈米和3奈米製程只能採用極紫外光刻機,[54][45][46][52][53]否則無法繼續(就現行技術而言)。中芯趕超世界一流晶圓代工廠家的宏偉計劃也因此實際上已被迫無限期擱置;何時才能重啟迄今仍尚無定論。即便遭此重大挫折,梁孟松對中芯、乃至中國大陸晶片製造業的巨大貢獻仍不可磨滅,他加盟中芯被業界稱為「對中國半導體行業具有劃時代的意義」、「中國半導體產業進入梁孟松時代」,[3]大陸更形象的稱之為中芯打了一劑雞血針;[8]並因此得到了大陸方面贈詩稱讚:「葉落歸根中芯在,半導一生忠報國」。2020年5月25日中芯授出946萬購股期權予周子學等8位董事,梁孟松和周子學獲得份數為最多,均為659117份,[56][57][58]梁孟松所獲竟和董事長所獲相同,足見其對中芯之貢獻。[57][58]而中芯董事長周子學將梁孟松團隊成功挖來也被認為不僅僅是對中芯國際,更是對整個中國大陸集成電路產業的一件奇功。[21]但台灣大部分民眾普遍對梁孟松極度不滿、痛恨,斥責其為「叛徒」、[15] 「叛將」、[11][5][12] 「半導體呂布」、[11][12]及「現代版三姓家奴」,[11]肇因台灣科技界諸如面板業和集成電路設計業,都出現了不少類似梁孟松這種掌握關鍵核心技術的大將帶槍投靠競爭對手,造成多起因失一人而喪邦,動搖國本的慘重損失。[5][6]

研究領域[編輯]

半導體元件物理及製程技術、鰭式場效應電晶體(FinFet)。

參考資料[編輯]

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