DDR3 SDRAM
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| Información | ||
| Tipo | norma técnica | |
DDR3 SDRAM (de las siglas en inglés, Double Data Rate type three Synchronous Dynamic Random-Access Memory) es un tipo de memoria RAM, de la familia de las SDRAM usadas desde principios de 2011.[1][2]
Visión general[editar]
DDR3 SDRAM permite usar integrados de 1 GiB a 8 GiB, siendo posible soportar módulos de hasta 16 GiB.
Características[editar]
Los DDR3 tienen 240 pines al igual que DDR2 pero los DIMM son físicamente incompatibles, debido a una ubicación diferente de la muesca. DDR3 continúa la tendencia, duplicando el mínimo de lectura o escritura en la unidad a 8 bits por ciclo. Esto permite otra duplicación de la velocidad de bus sin tener que cambiar la velocidad de reloj de las operaciones internas. Para mantener las transferencias de 800-1600 Mb/s, la matriz RAM interna tiene que realizar sólo 100-200 millones de accesos por segundo.[3]
Ventajas[editar]
- El principal beneficio de DDR3 frente a DDR2 es la posibilidad de hacer transferencias de datos más rápidamente, y con esto obtener velocidades de transferencia y de bus más altas.
- Proporciona significativas mejoras de rendimiento en niveles de bajo voltaje(1,5 a 1,2 V), lo que conlleva una disminución global del consumo eléctrico.
Desventajas[editar]
- La desventaja es que como sucedió con DDR2, las Latencia de acceso es proporcionalmente más alta. Compensando ese aumento de latencias con mayor velocidad de transferencia.
Historia[editar]
Se preveía, que la tecnología DDR3 pudiera ser dos veces más rápida que la DDR2 y el alto ancho de banda que prometía ofrecer DDR3 era la mejor opción para la combinación de un sistema con procesadores dual-core, quad-core y hexa-Core (2,4 y 6 núcleos por microprocesador). Las tensiones más bajas del DDR3 (1,5 V frente 1,8 V de DDR2) ofrecen una solución térmica y energética más eficientes.
Teóricamente, estos módulos podían transferir datos a una tasa de reloj efectiva de 800-2600 MHz, comparado con el rango del DDR2 de 400-1200 MHz ó 200-533 MHz del DDR. Existen módulos de memoria DDR y DDR2 de mayor frecuencia pero no estandarizados por JEDEC.
Si bien las latencias típicas DDR2 fueron 5-5-5-15 para el estándar JEDEC, para dispositivos DDR3 son 7-7-7-20 para DDR3-1066 y 9-9-9-24 para DDR3-1333.
Desarrollo[editar]
2005[editar]
En 2005, Samsung anunció un chip prototipo de 512 MiB (denominado "512 MB") a 1.066 MHz (la misma velocidad de bus frontal del Pentium 4 Extreme Edition más rápido) con una reducción de consumo de energía de un 40% comparado con los actuales módulos comerciales DDR2, debido a la tecnología de 80 nanómetros usada en el diseño del DDR3 que permite más bajas corrientes de operación y tensiones (1,5V , comparado con los 1,8 del DDR2 o los 2,6 del DDR). Dispositivos pequeños, ahorradores de energía, como computadoras portátiles quizás se puedan beneficiar de la tecnología DDR3.[4][5]
Lanzamiento[editar]
En 2008, Kingston Technology lanzó los primeros módulos de memoria a 2GB, para plataformas Intel Core i7 (Nehalem y Bloomfield ).[6]
Predecesor[editar]
DDR2 SDRAM[editar]
Sucesor[editar]
DDR4 SDRAM[editar]
Sus principales ventajas en comparación con DDR2 y DDR3 son una tasa más alta de frecuencias de reloj y de transferencias de datos (1600 a 4400 MHz en comparación con DDR3 de 800Mhz a 2400MHz), la tensión es también menor a sus antecesoras (1,45 a 1,05 para DDR4 y 1,65 a 1,2 para DDR3) DDR4 también apunta un cambio en la topología descartando los enfoques de doble y triple canal, cada controlador de memoria está conectado a un módulo único.
Visión detallada[editar]
Estándares[editar]
Estos son los estándares de memoria DDR3 actualmente en el mercado:
| Nombre estándar | Velocidad del reloj | Tiempo entre señales | Velocidad del reloj de entrada/salida | Datos transferidos por segundo | Nombre del módulo | Máxima capacidad de transferencia |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DDR3-800 | 100 MHz | 9,5 ns | 400 MHz | 800 millones | PC3-6400 | 6400 MT/s |
| DDR3-1066 | 133 MHz | 7,5 ns | 533 MHz | 1066 millones | PC3-8500 | 8528 MT/s |
| DDR3-1333 | 166 MHz | 6 ns | 666 MHz | 1333 millones | PC3-10600 | 10664 MT/s |
| DDR3-1600 | 200 MHz | 5 ns | 800 MHz | 1600 millones | PC3-12800 | 12800 MT/s |
| DDR3-1866 | 233 MHz | 4,3 ns | 933 MHz | 1866 millones | PC3-14900 | 14928 MT/s |
| DDR3-2133 | 266 MHz | 3,3 ns | 1066 MHz | 2133 millones | PC3-17000 | 17064 MT/s |
| DDR3-2400 | 300 MHz | 3 ns | 1200 MHz | 2400 millones | PC3-19200 | 19200 MT/s |
Tecnologías relacionadas[editar]
GDDR3[editar]
La memoria GDDR3, con un nombre similar pero con una tecnología completamente distinta, ha sido usada durante varios años en tarjetas gráficas de gama alta como las series GeForce 6x00 o ATI Radeon X800 Pro, y es la utilizada como memoria principal de la Xbox 360. A veces es incorrectamente citada como "DDR3".
DDR3L[editar]
Aunque es compatible con la especificación, los DDR3L (PC3L o SoDIMM) operan a un voltaje menor de 1,35 V y fue diseñado para los procesadores de cuarta generación de Intel.[7]
Véase también[editar]
Referencias[editar]
- ↑ «The DRAM Story» (PDF) (en inglés). www.ieee.org. Archivado desde el original el 29 de junio de 2011.
- ↑ «DDR3 FAQ» (en inglés). www.ocmodshop.com. Archivado desde el original el 15 de julio de 2011. Consultado el 8 de febrero de 2013.
- ↑ «204-Pin DDR3 SDRAM Unbuffered SODIMM Design Specification» (en inglés). www.jedex.org.
- ↑ «Samsung presenta las memorias DDR3». www.xataka.com.
- ↑ «Design Considerations for the DDR3 Memory Sub-system» (PDF) (en inglés). www.jedex.org. Archivado desde el original el 26 de julio de 2011.
- ↑ «Kingston Rolls Out Industry’s First 2GHz Memory Modules for Intel Core i7 Platforms» (PDF) (en inglés). www.xbitlabs.com. Archivado desde el original el 1 de noviembre de 2008.
- ↑ ¿Qué es la memoria DDR3L?, Dell
