英飛凌推1200V IGBT模組，搶攻電動車、儲能應用商機

【財訊快報／記者張家瑋報導】半導體大廠英飛凌（Infineon）宣布推出1200V TRENCHSTOP IGBT7半橋晶片射極模組，具備更高功率密度和電氣效能，可滿足太陽能逆變器、工業應用及不斷電系統規格需求，可應用於電動車充電、儲能等領域。有鑑於上半年全球IGBT供貨吃緊，英飛凌適時推出新款IGBT模組搶攻市占，該款採1200V TRENCHSTOP第七代IGBT晶片模組系列，與採用第四代IGBT晶片模組相比，靜態損耗顯著降低，顯著降低應用中的損耗，特別是在中等開關頻率運行的工業驅動器中，具備更高可控性。

日前英飛凌才宣布與德國功率模組大廠賽米控-丹佛（SEMIKRON-Danfoss）簽署長期矽基電動車晶片供應合作協議，英飛凌將為賽米控-丹佛供應由IGBT與二極體組成的晶片組，主要用於電動車之主驅逆變器的功率模組。

英飛凌表示，該模組未改變標準封裝設計和尺寸，與先前模組版本在機械性質上具相容性，此外，所有模組均配備驗證過之預塗熱界面材料 (TIM)。