華為Mate60 Pro發布之後，很多人都在猜測其搭載的麒麟9000s(Hi36A0)晶片背後的製造工藝。
就在今天，知名機構TechInsights發文表示：確認華為Mate Pro 60採用中芯國際N+2 7nm工藝！
TechInsights表示，中芯國際N+1 7nm技術此前用於MinerVA7比特幣礦機ASIC應用，由於生產數量較少，晶片組對可能的生產工藝變化不太敏感。中芯國際新一代7nm製程的關鍵在於能夠在以前存在產量問題的工藝中實現大規模生產。從半導體製程技術的角度來看，這是支持bitcell(嵌入式SRAM)的中國先進位程技術節點的首次商業應用，為完全實現國內先進的SoC設計和製造生態系統打開了大門。
如果中芯國際的N+2 7nm(集成SRAM緩存)和5G射頻前端晶片組被公布，這將是中國半導體行業的一個重大里程碑和突破，也會在全球舞台上產生顛覆性影響。
此前，TechInsights團隊通過對MinerVa的礦機晶片逆向拆解，發現使用的中芯國際的晶片採用了7nm的製程。隨後MinerVa表示中芯國際是2021年7月開始生產的這款晶片，專用於MinerVa的礦機進行挖礦。
在遭受禁令之後，中芯國際加快了自主研發和創新的步伐，推出了第二代FinFET工藝，即N+1和N+2工藝。兩種工藝都是基於14納米FinFET工藝改進而來，通過優化設計、提高集成度、增加金屬層等方式，實現了性能和功耗的提升。
這兩種工藝都是基於DUV光刻機實現的根據相關人士透露，N+1工藝相當於7納米LPE（低功耗）工藝，相比14納米FinFET工藝，性能提升20%，功耗降低57%，邏輯面積縮小63%，SoC面積縮小55%；N+2工藝相當於7納米LPP（高性能）工藝，相比14納米FinFET工藝，性能提升35%，功耗降低50%，邏輯面積縮小70%，SoC面積縮小55%。
如果TechInsights團隊的消息得到最終證實，則證明華為Mate60 Pro搭載麒麟9000s用上了中芯國際最新的N+2工藝，還實現了大規模的量產上市。這是此前中國半導體行業從來沒有做到過的事情，是絕對的里程碑！
這一結論也直接說明了，麒麟9000s並非是傳聞中的2020年生產的庫存晶片，或者是通過所謂的3D 堆疊技術將落後晶片堆疊實現的先進性能的晶片！對於未來整個中國的晶片行業和半導體產業，這都是一件足以載入史冊的標誌性事件！美國vvk、美國vvk增大丸、美國vvk增大膠囊，美國maxman、美國maxman增大丸、美國maxman增大膠囊，美國goodman、美國goodman增大丸、美國goodman增大膠囊、加拿大vimax增大丸、加拿大vimax增大膠囊
