- 中文名
- 离子束投影光刻技术
- 外文名
- Ion Projection Lithography
IPL技术的优越性很多,对150keV质子的衍射效应可忽略不计，焦深＞10um [2]。使用极小的数值孔径（NA）就足可以使IPL光学镜头实现大于25mm X 37mm 的整片芯片的曝光。在离子束投影光刻中静电镜头能够对改变线性焦点特性进行电子学方面的调整，并且能够结合延时返馈控制环(或图形锁定装置)进行调整 [3]。
离子束投影光刻技术示意图IPL提供了超越光学光刻之后竞争技术的一些主要系统的优越性，它有十分宽的曝光容限。它与接近式X射线光刻不同，IPL使用投影镜头放宽了模版的要求，而且具备波的粒子特性。它建立在廉价的、按标准形状设计的离子源技术的基础上。IPL将适合混合匹配工艺技术介入的策略 [1]。它的小数值孔径和大焦深特性支撑着大视场曝光和步进重复操作，与SCALPEL投影电子束光刻装置相比，后者的视场尺寸仅是IPL的1%左右。对操作者来说，离轴对准的IPL步进机和当前光学光刻步进机一样，已经实用化。IPL可用g线、i线或UV抗蚀剂进行立体的而不是表面层的曝光，而且对抗蚀剂厚度变化不敏感 [1]。
离子束投影光刻发生的接近效应是微不足道，其产生的热量可忽略不计（离子和电子不一样，其积存能量具有有效性和局部性）。此外，对曝光抗蚀剂来说，离子仅需要电子剂量的约1%～10%，离子一般停留在抗蚀剂里面，并且对敏感的衬底结构产生小小的损伤，离子束投影光刻还在抗蚀剂材料里减弱了散射现象 [3]。
