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所謂Self  Bias是指在RF印加部發生之DC成分電壓。
•為達成非等向性蝕刻，必須使粒子的能量具方向性。此非等向性的蝕刻由電極上方的離子界面層電場得來。
RIE即利用Self  Bias使荷電粒子的能量具方向性。
•在電極上打入RF電源時，荷電粒子（離子）與電子被交互吸引到電極處。電漿電位的正領域裡，電子流動，在負領域裡，正離子流動；但是，當周波數提高時（1~2MHz以上），出現進入電極的離子與電子的個數差，産生偏壓。下圖¬，存在許多電子，將成為Vdc成分。（電漿中的正離子與電子的移動度比較時，電子移動度遠大於電漿中的正離子，或接觸電漿的Anode面積大於Cathode面積時，RF電極將偏向負。）
•電漿中的電子向外擴散造成正電荷稍微過剩之故，電漿電位稍大於Anode呈正電位。

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