Hynix 海力士芯片生产商，源于韩国品牌英文缩写"HY"。海力士即原现代内存，2001年更名为海力士。海力士半导体是世界第三大DRAM制造商，也在整个半导体公司中占第九位。
2019年9月5日，SK海力士设在中国无锡的半导体工厂已经完全使用中国生产的氟化氢取代了日本产品。 [1]2022年8月，媒体报道，海力士计划在美国新建先进芯片封装厂，预计2023年第一季度破土动工。 [23]
2024年1月，SK海力士计划将其中国无锡工厂的部分动态随机存取存储器（DRAM）生产设备提升至第四代10纳米工艺。 [32]
- 公司名称
- 海力士
- 外文名
- Hynix
- 总部地点
- 韩国
- 经营范围
- 半导体
- 年营业额
- 224.78 亿美元（2019年）
- 员工数
- 33000 人（2019年）
- 缩 写
- HY
- 世界500强
- 第442名 （2018年）
- 年利润
- 94.14亿美元（2018年） [2]
海力士2012年更名SK hynix。
海力士半导体在1983年以现代电子产业有限公司成立，在1996年正式在韩国上市，1999年收购LG半导体，2001年将公司名称改为(株)海力士半导体,从现代集团分离出来。2004年10月将系统IC业务出售给花旗集团，成为专业的存储器制造商。2012年2月，韩国第三大财阀SK集团宣布收购海力士21.05%的股份从而入主这家内存大厂。
2019年9月5日，据韩国《中央日报》报道，在日本政府限制向韩国出口氟化氢、光刻胶、含氟聚酰亚胺等尖端半导体材料后，SK海力士设在中国无锡的半导体工厂已经完全使用中国生产的氟化氢取代了日本产品。 [1]
2022年10月27日，海力士同意加入开放创新平台 3D Fabric 联盟，推动 3D 半导体发展。 [25]
2023年7月4日消息，继 Nvidia 之后，全球多个科技巨头都在竞购 SK hynix 的第五代高带宽内存 HBM3E；HBM3E 是当前 HBM3 的下一代产品，而 SK 海力士是目前世界上唯一一家能够大规模生产 HBM3 芯片的公司，因此其他厂商想要购买 HBM3E 就只能找它。 [28]
2023年12月7日，海力士公司表示，已成立一个名为AI Infra的新部门，负责人工智能（AI）半导体相关业务，这是该公司将更多地专注于高需求高端芯片的战略的一部分。 [31]
2024年4月3日，SK海力士表示，将投资约38.7亿美元在美国印第安纳州建设芯片工厂。新工厂将包括一条先进的芯片生产线，用于批量生产下一代HBM芯片。 [34-35]
在韩国有4条8英寸晶圆生产线和一条12英寸生产线，在美国俄勒冈州有一条8英寸生产线。2004年及2005年全球DRAM市场占有率处于第二位，中国市场占有率处于第一位。在世界各地有销售法人和办事处，共有员工15000人.海力士（Hynix）半导体作为无形的基础设施，通过半导体，竭尽全力为客户创造舒适的生活环境。海力士半导体致力生产以DRAM和NAND Flash为主的半导体产品。
海力士半导体以超卓的技术和持续不断的研究投资为基础，每年都在开辟已步入纳米级超微细技术领域的半导体技术的崭新领域。另外，海力士半导体不仅标榜行业最高水平的投资效率，2006年更创下半导体行业世界第七位，步入纯利润2万亿韩元的集团等，正在展现意义非凡的增长势力。海力士半导体不仅作为给国家经济注入新鲜血液的发展动力，完成其使命，同时不断追求与社会共同发展的相生经营。海力士半导体为发展成为令顾客和股东满意的先导企业，将尽心尽责，全力以赴。
2013年09月4日下午3:30左右，无锡Hynix厂房起火，原因未知。
2008年 12月 世界最先开发2Gb Mobile DRAM
08月 清州第三工厂的300mm组装厂竣工
世界最先推出使用MetaRAMtm 技术的16 GB 2-Ran kR-DIMM
05月 与ProMOS公司签署关于加强长期战略性合作的修改案
04月 为撤回对海力士DRAM的相计关税的EU理事会的措施表示欢迎开发出世界最高速Mobile LPDDR2
11月WTO做出判决海力士进口芯片相关报复性关税一案，日本败诉。与SiliconFile公司签署CIS事业合作协议，获得对 1Gb DDR2 DRAM的英特尔产品认证，业界最先开发1Gb GDDR5 DRAM
09月以24层叠芯片(stacked chips)，世界最先开发NAND闪存MCP
08月开发出业界最高速、最小型1Gb Mobile DRAM
07月发表企业中长期总体规划
05月业界最先获得关于DDR3 DRAM的英特尔产品认证
04月DOC H3开始大量生产在韩国清州300mm设施开工实现最高水平的营业利润率
03月开发出世界最高速ECC Mobile DRAM发表“生态标记(ECO Mark)”与Toshiba签署半导体特许商户许可证及供应合同
2006年创下最高业绩及利润
2006年12月业界最先发表60nm 1Gb DDR2 800MHz基础模块，开发出世界最高速200MHz 512Mb Mobile DRAM
09月300mm研究生产线下线
03月业界最先获得英特尔对80nm 512Mb DDR2 DRAM的产品认证
07月 获得公司成立以来最大的季度营业利润
06月 签订非内存事业营业权转让协议
02月 成功开发NAND闪存
2003年12月 宣布与PromMOS签署长期的战略性MOU
08月 宣布发表在DRAM行业的第一个1Gb DDR2问世。
07月 宣布在世界上首次发表DDR500
03月 发表世界上第一个商用级的mega-level FeRAM
10月 开发0.10微米、512MB DDR
06月 在世界上首次将256MB的SDR SDRAM运用于高终端客户
03月 开发1G DDR DRAM模块
2001年08月 开发世界上速度最快的128MB DDR SDRAM
08月 完成与现代集团的最终分离
05月 剥离通信服务业务‘Hyundai CuriTel’
剥离网络业务‘Hyundai Networks’
2000年08月 剥离显示屏销售业务‘Hyundai Image Quest’
04月 剥离电子线路设计业务‘Hyundai Autonet’
03月 出售专业的半导体组装公司（ChipPAC）
1998年09月 开发64M的DDR SDRAM
1997年05月 在世界上首次开发1G SDRAM
1996年12月 公司股票上市
1989年11月 完成FAB III
09月 开发4M的DRAM
1988年11月 在欧洲当地设立公司（HEE）
01月 开发1M的DRAM
1986年06月 举行第一次员工文化展览会“Ami Carnical”
04月 设立半导体研究院
1985年10月 开始批量生产256K的DRAM
1984年09月 完成FAB II-A
SK海力士宣布，已于2021年12月30日圆满完成了收购英特尔NAND闪存及SSD业务案的第一阶段。 [17]
2022年1月24日，彭博援引韩国经济日报称，投行业内消息人士表示，芯片设计公司SiFive将进行2000亿韩元（1.67亿美元）新一轮融资，SK海力士将投1000亿韩元。 [18]
2024年1月25日，SK海力士在官网发布截至2023年12月31日的2023财年及第四季度财务报告。公司2023财年第四季度营收为11.3055万亿韩元，同比增加47%；净亏损为1.3795万亿韩元，同比减亏63%。 [33]
2013年9月4日下午3点半左右，无锡新区海力士公司的生产车间发生气体泄漏，引发车间屋顶排气管洗涤塔管道的保护层着火。无锡消防200多名官兵赶至现场扑救，截至当日18点，明火已全部扑灭。从车间疏散出人员中，1人受轻微外伤，另有10余人去医院进行呼吸道检查，均无大碍。火灾发生后，无锡市委主要领导作出批示，市政府和无锡新区领导第一时间赶赴现场组织开展灭火救援，市环保部门迅速组织对企业周边环境、空气质量情况进行检测。火灾原因仍在调查中。 [3]
上述险企人士进一步介绍称，该案件各家保险公司基本上都办理了再保险，主要涉及的再保险公司包括：韩国再保险、瑞士再保险、慕尼黑再保险等，而这个案例会影响到直保和再保险财险公司的承保利润，同时也将会导致半导体行业来年费率以及再保险费率的上涨。 [4]
SK海力士大火的首席承保人是韩国现代财险，国内的人保财险和太平洋产险等13家公司都险都参与其中。SK海力士火灾的最终赔付金额已确认在9亿美元，这是国内保险史上的最大一笔理赔案。江苏省保监局保险财产保险监管处处长王雷介绍，现在的进展情况是正在运行之中，已经预付了大约3亿美金。13家大型保险公司都在为这起火灾承担赔付，这也将推高2014年企业财产险的相关保费。 [5]
根据美光、三星、海力士财报统计，2017财年，三家公司的半导体业务在中国营收分别为103.88亿美元、253.86亿美元、89.08亿美元，总计446.8亿美元，同比2016财年的321亿美元增长39.16%。 [6]
2020年5月13日，SK海力士名列2020福布斯全球企业2000强榜第296位。 [8-9]
2022年2月14日，在韩国人最想入职的企业排行榜中，位列第10。 [19]
2023年8月，以34567（百万美元）营收，入选2023年《财富》世界500强排行榜，排名第437位。 [29]
